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256×1元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器

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InAs/GaSbⅡ类超晶格是近年来迅速发展起来的Ⅲ-V族红外探测器，根据理论计算，超晶格红外探测器在长波波段的探测性能更有优势，近年来，InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器的关键性能获得了迅速提高，显示了优良的应用前景。本篇文章报道了256×1元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外线列探测器的研究成果。实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料，器件采用PBIN结构，长波超晶格结构为15MLCInAs)/7ML CGaSb)，中波势垒层结构为(7ML)InAs/(7ML)GaSb，吸收区为200周期未掺杂的长波超晶格材料，最后是50周期的N型长波超晶格材料，顶层为用来做金属接触的InAs层，从生长得到的器件材料X射线衍射图，长波超晶格1级卫星峰的全宽半高峰(FWHM)为36弧秒，显示了材料的晶格质量完整。

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|18-19|共2页
会议地点上海
作者
许佳佳; 周易; 徐志成; 白治中; 王芳芳; 徐庆庆; 曹妩媚; 陈建新; 何力;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN215:TN204;
关键词
砷化铟超晶格红外探测器; 锑化镓超晶格红外探测器; 结构特征; 分子束外延技术;

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