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InP基双异质结双极晶体管和超高速电路

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针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGaAs/InGaAsP材料为消除集电极导带尖峰、减小电流阻挡效应实现的组分渐变结构。

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|67-68|共2页
会议地点上海
作者
金智; 苏永波; 丁芃; 姚鸿飞; 张毕禅; 宁晓曦;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN45:TN403;
关键词
混合电路; 磷化铟基材料; 异质结构; 双极晶体管;

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