首页> 中文会议>第十届全国分子束外延学术会议 >高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测量等领域有广泛的应用.与量子阱激光器相比较,量子点激光器作为外腔激光器的增益介质时可获得更宽的波长调谐范围和更低的阈值电流密度.本文中,利用InAs/GaAs量子点激光器和Littrow小型化外腔装置构建了InAs/GaAs量子点外腔激光器,并对其进行了稳定性测试,单模粗调谐测试,无跳模连续调谐测试分析.

著录项

来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|44-45|共2页
会议地点上海
作者
严进一; 龚谦; 曹春芳; 成若海; 王海龙;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
砷化铟量子点; 砷化镓量子点; 外腔激光器; 制造工艺; 分子束外延设备; 稳定性分析;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 1·3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长(英文) [J] . 牛智川 ,倪海桥 ,方志丹 . 半导体学报：英文版 . 2006,第3期
2. 利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器 [J] . 袁野 ,牛智川 ,苏向斌 . 红外与毫米波学报 . 2020,第006期
3. 1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器 [J] . 李齐柱 ,伏霞 ,张子旸 . 上海大学学报（自然科学版） . 2019,第004期
4. 1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究 [J] . 杨维凯 ,王海龙 ,曹春芳 . 通信技术 . 2018,第006期
5. InAs/GaAs量子点激光器增益特性 [J] . 魏育新 ,陈蕊丽 . 河北大学学报（自然科学版） . 2016,第003期
6. GaAs基1.3微米高性能InAs量子点激光器研究 [C] . 杨涛 ,季海铭 ,杨晓光 . 第十届全国分子束外延学术会议 . 2013
7. 基于DMD的InAs/GaAs量子点外腔激光器的性能研究 [A] . 康传振 . 2014

高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅