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失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响

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本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 %μm-1和3.1%μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样，且采用较低的失配递变速率的缓冲层样品表面均方根粗糙度略有增加。室温光致发光谱测试发现，低失配递变速率缓冲层上生长的高失配材料具有更窄的半峰宽和更强的发光信号，这表明材料的光学性质有了提高。X射线衍射倒易空间扫描证实，组分线性变化的缓冲层的晶格弛豫过程是分两步进行的:在缓冲层开始生长阶段，材料是完全晶格弛豫的;缓冲层到了一定厚度后，顶部形成了一个完全应变层。这一实验结果与Tersoff模型基本吻合射线衍射测试结果也表明低的失配递变速率更有利于缓冲层晶格的弛豫和应力释放。要进一步提高缓冲层晶格的弛豫度，本文建议进一步降低失配速率或在缓冲层中采用组分过冲。

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|109-110|共2页
会议地点上海
作者
方祥; 顾溢; 陈星佑; 周立; 曹远迎; 李好斯白音; 张永刚;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN215:TN204;
关键词
红外探测器; 砷镓铟材料; 线性异变缓冲层; 失配递变速率;

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