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SRAM-FPGA单粒子效应及容错方法研究

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SRAM型FGPA由于能重复编程、集成密度高、逻辑资源丰富、制造工艺先进,甚至具有动态部分可重构等特点,近年来在航天领域的应用范围逐渐扩大.但随着集成电路制造工艺的进步,使得FPGA线宽变小,工作电压变低,从而导致其发生单粒子效应,尤其是单粒子翻转的风险增加.本文在分析SRAM-FPGA单粒子效应故障模式和机理的基础下,对其容错方法进行了总结和研究,并针对SRAM-FPGA常用的抗单粒子效应三模冗余方法进行了实例设计.

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来源
《2013年航天可靠性学术交流会》|2013年|709-716|共8页
会议地点北京
作者
郭伟; 李鹏程;
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作者单位

中国宇航学会;

中国航天科技集团公司;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类仪表;
关键词
航天设备; 静态随机存储器; 现场可编程门阵列; 单粒子效应; 三模冗余; 容错方法;

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