首页> 中文会议>中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十四届学术年会 >直流老化对ZnO压敏电阻8/20 μs脉冲老化寿命的影响

直流老化对ZnO压敏电阻8/20 μs脉冲老化寿命的影响

摘要

为了研究直流老化对ZnO压敏电阻8/20μs脉冲老化寿命的影响,对同一批次的ZnO压敏电阻在125°C、110%的荷电率下进行直流老化,老化时间分别为20、40、60、80、100h.直流老化后对各组压敏电阻进行幅值21.5kA的8/20μs波形大电流冲击老化.研究发现直流老化30h与40h的压敏电阻器可以承受100次的冲击,直流老化80h与100h的压敏电阻器可以承受65次的冲击.结果表明直流老化机理与冲击老化机理存在明显差异,8/20μs脉冲老化造成ZnO压敏电阻的基体表面有缺陷的局部区域出现孔洞和裂纹,晶界层的破坏导致了压敏电压的降低,压敏电阻性能的劣化.直流老化时间相近的压敏电阻具有相同的耐大电流冲击老化的特性.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号