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Lu Dinghong; 陆定红; 张运坤; 来启发;
四川省电子学会;
肖特基二极管; 高温反偏试验; 电损伤; 失效分析;
机译:HTRB测试下边缘端接的AlGaN / GaN肖特基二极管的时变击穿机理和可靠性提高
机译:SiC肖特基二极管中重离子辐照引起的热损伤分析
机译:背对背肖特基二极管:二极管理论在纳米器件电参数分析和提取中的推广
机译:使用诱导闪电灌安扫描应用试验失效SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管特性
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:PdCoO2 /β-Ga2O3肖特基二极管在高温工作中的电偶极效应
机译:普通芯片和引线组装环境中肖特基二极管高达110 GHz的肖特基二极管的特征及建模
机译:使用肖特基二极管测量波长Lambda = 1.3千分尺的硅中电诱导折射率变化
机译:具有集成肖特基二极管的半导体开关元件具有电连接到第一连接区和第二连接区中的肖特基势垒的第一连接电极
机译:半导体元件,即肖特基二极管,具有金属化结构,该金属化结构通过肖特基接触与补偿区电连接,并通过欧姆接触与漂移区电连接,其中该结构与另一结构相对布置
机译:半导体器件肖特基二极管,具有在n型碳化硅衬底上形成的肖特基电极,该肖特基电极电连接到P型阱区域上方的键合线
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