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银浆沾污引起的芯片损伤机理分析

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对两只塑封器件开封后进行内部目检,发现一只样品存在金属层损伤缺陷,另一只样品芯片表面有大量多余物.利用扫描电镜和能谱仪对缺陷部位和多余物进一步进行形貌观察和元素成分分析,结果表明金属层损伤部位有导电银浆残留物,损伤形貌明显为压应力造成,而芯片表面的大量多余物也含有导电银浆残留物,局部区域有钝化层被压碎的形貌特征,且其余残留物呈扁平状.根据塑封微电子封装工艺流程进行分析,认为芯片损伤机理为:粘接工艺控制不良导致导电银浆在芯片上残留,环氧塑封料固化过程中收缩产生的压应力通过银浆残留物将芯片金属层和钝化层压碎.

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来源
《四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十八届电子测试与测量技术专题学术年会》|2017年|245-249|共5页
会议地点昆明
作者
梁栋程; 何志刚; 王淑杰; 龚国虎;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类微模组件;
关键词
电子芯片; 金属层损伤; 导电银浆残留物; 环氧塑封料固化; 压应力;

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