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连续SiCf/TC 17复合材料界面行为研究

摘要

本文采用磁控溅射先驱丝法并结合真空热压技术制备SiCf/TC17复合材料,并对其在973、1023、1073、1123K进行长时热暴露实验.发现了SiCf/TC17复合材料界面反应层形成、长大及基体相转变规律.分析了材料在制备和热暴露过程中界面反应产物及相变产物的形成过程;另外,还研究了SiCf/TC17复合材料的界面热稳定性.结果显示,在热压及热暴露过程中,界面附近的元素扩散形式主要有化学反应和浓度梯度导致的界面互扩散,以及基体相变扩散,各元素发生上述三种扩散的程度不同因而表现出不同的扩散行为.

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