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放电等离子烧结Si3N4/MgO的致密化机理研究

摘要

本文采用放电等离子烧结(SPS)这一新型粉末烧结技术,对Si3N4/MgO粉末进行烧结.在1750°C时得到最大相对密度97.14%与最大显微硬度1650HV.基于蠕变模型,通过对保温阶段致密化过程数据的计算,得到保温阶段的致密化速率,进一步确定相应的有效应力指数n值.保温温度为1600-1650°C,n<2时,相应的致密化机理为晶界滑移.n≥3时,相应的致密化机理为位错攀移主导的蠕变.当保温温度进一步升高,保温温度为1700-1750°C,其相应的致密化机理应为晶界扩散.此外,通过确定有效应力指数n值,计算得到在1600-1650°C的保温温度下,混粉致密化的表观激活能Qd=206kJ/mol.

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