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SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器研究

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摘要

采用宽禁带半导体器件和软开关技术可以显著改善逆变器效率和功率密度值.本文提出采用SiC MOSFET的新型磁集成软开关逆变拓扑,通过在传统三相四线制逆变器电路中引入一只辅助开关、一个磁集成开关电感谐振元件和一只钳位电容组成辅助支路,并在每只主开关上并联一只谐振电容实现所有功率器件零电压开关.本文重点研究了SiC MOSFET零电压关断损耗,通过深入探讨SiC MOSFET寄生电容对零电压开关实现的影响,以及等效寄生电容值的提取方法,并构建开关电感磁集成动态损耗模型,优化SiC MOSFET零电压开关条件,修正器件电压、电流应力公式,获得了更高效的电路设计参数.最后通过一台20kW SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器实验样机证明了理论分析的正确性.

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来源
《中国电源学会第二十二届学术年会》|2017年|551-556|共6页
会议地点上海
作者
CHEN Chao; 陈超; HAI Hang; 海航;
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作者单位

中国电源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM464:TM403;
关键词
软开关逆变器; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 磁集成开关电感; 寄生电容; 损耗模型;

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