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GaN HEMT的隔离变压器驱动电路设计

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本文针对GaN HEMT的高频开关特性及上管电气隔离等问题,提出并设计了一种应用于LLC谐振变换器的隔离变压器驱动电路.详细分析了GaN HEMT的开关特性并阐述了其驱动设计要求.根据这些要求,提出了GaN HEMT隔离变压器驱动电路的基本设计过程.最后,通过PSpice仿真及制作LLC谐振变换器实验样机,验证了该驱动设计的可行性及可靠性.

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来源
《中国电源学会第二十二届学术年会》|2017年|292-296|共5页
会议地点上海
作者
ZHANG Weiping; 张卫平; LI Ke; 李可; LIU Yuanchao; 刘元超;
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作者单位

中国电源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM41:TM402;
关键词
隔离变压器; 驱动电路设计; 可靠性; 高电子迁移率晶体管; 开关特性;

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