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基于MOCVD的InGaN量子阱和量子点耦合结构研究

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传统的InGaN量子阱器件面临绿光缺失(Green Gap)、效率下降(EfficiencyDroop)等问题,InGaN量子点由于其独特的外延机理和物理特性,有望解决以上问题.但是由于量子点密度不足、热载流子效应等原因,量子点对载流子的捕获能力不足,导致发光效率普遍较低.本文为了有效提高InGaN量子点对载流子的捕获能力,引入了InGaN量子阱和量子点的耦合结构,通过光谱等表征方法,优化了阱点耦合结构中阱和垒的外延参数,提高了量子点的内量子效率,验证了阱点耦合结构中存在隧穿效应.外延了基于阱点耦合结构的黄绿光LED,实现了530nm到555nm范围的发光.低温下在LED的EL谱中观察到了明显的泄漏峰,而阱点耦合结构的引入减小了载流子泄漏,其EL泄漏峰相对减弱.

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来源
《北京真空学会2017真空学术论坛》|2017年|14-25|共12页
会议地点北京
作者
王磊; 汪莱; 杨迪; 余佳东; 郝智彪; 罗毅; 孙长征;
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作者单位

北京真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类发光器件;
关键词
半导体发光器件; 氮化镓铟量子阱; 氮化镓铟量子点; 耦合结构; 载流子隧穿; 内量子效率;

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