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光耦合胶体射流抛光单晶硅表面

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摘要

为了实现超光滑无损伤表面的高效制造,提出利用在紫外光场与胶体射流动压场耦合作用下纳米颗粒(10nm-40nm)与被加工工件表面间的光化学反应、界面化学反应以及胶体射流产生的剪切粘滞作用实现工件表面材料的亚纳米级去除的方法.在紫外光诱导纳米颗粒胶体射流进行超光滑表面加工的过程中,紫外光的光化学作用对胶体射流中纳米颗粒与工件表面间的界面反应进行充分的激励和强化,从而很大程度提高材料表面原子的去除率,提高超光滑表面制造的效率.

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来源
《第十九届中国磨粒技术学术会议》|2017年|50-51|共2页
会议地点哈尔滨
作者
宋孝宗; 戴旭杰; 高贵; 王宏刚;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
单晶硅; 纳米颗粒; 胶体射流; 光化学作用; 界面反应;

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