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唐小明; 吕光烈; 张国庆;
中国物理学会;
中国晶体学会;
北京市硅酸盐学会;
吉林省物理学会;
矿物材料; 乱层序结构; 定量分析; 微结构模型;
机译:在高电流应力下从4H-SiC外延层的基底平面位错的堆叠断层扩展转换为穿线边缘位错
机译:预测储能插层材料平面颗粒相变中位错形成临界尺寸的模型
机译:通过外延层中穿线边缘位错的形貌分析表征4H-SiC衬底中的基础平面位错
机译:单晶弹性的研究:均匀位错成核和无序的胶体晶体。
机译:硼掺杂对非平面MPCVD同质外延金刚石生长过程中位错产生的影响
机译:离散位错可塑性-简单平面模型:简单平面模型
机译:由于位错 - 位错交叉引起的弛豫位错阻尼与镁单晶的应用
机译:消除了基底平面位错,并将转换点固定在SiC功率器件应用的外延层界面下方
机译:减少和/或消除SiC外延膜生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错的预处理方法
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