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铜基螺旋型CNT的制备及场发射性能

摘要

在很多研究中,螺旋形CNTs的CVD制备温度在800-10000C,本实验通过改变Cu催化剂的功率和厚度,用CVD方法在较低的温度(675℃)下制备了均匀的螺旋形CNTs。改变Cu催化剂的制备功率获得不同厚度的薄膜,CNTs的螺旋形貌直接受到催化剂的影响。实验表明,低功率制备的Cu催化剂厚度薄,经退火形成较小的催化剂颗粒,容易制备螺旋形卷的CNTs;高溅射功率下制备的Cu膜较厚,退火形成规则的大催化剂颗粒,生长产物为直径较大的非螺旋形CNTs。在同样的条件下,螺旋形CNTs引入了较多的结构缺陷,形成隐形场发射尖端,因此具有螺旋状结构的CNTs具有更为优越的场发射性能。

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