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紫光LED芯片电流扩展层的制备工艺研究

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本文研究了蒸发工艺条件和原料比例对紫光LED芯片ITO电流扩展层特性的影响.实验中,共采用了两种高密ITO料In203/Sn02=90/10(质量比)和In203/Sn02=95/5(质量比)分别制备ITO电流扩展层,通过改变电流扩展层制备的工艺参数:蒸发温度,氧流量,制备薄膜厚度等方法,研究并分析了制备工艺对ITO电流扩展层特性的影响.实验结果表明:通过优化紫光LED芯片ITO电流扩展层制备工艺可以提高紫光LED的光电性能,采用In203/SnO2=95/5(质量比)ITO料,在温度250-270℃、氧流量2.0-4.0sccm、扩展层厚度210-230nm的条件下,加工的紫光LED芯片光电性能较好.

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来源
《第十三届全国LED产业发展与技术研讨会》|2012年|107-111|共5页
会议地点武汉
作者
Ning Lei; 宁磊; Wang Shenglian; 王省莲; Lian Dazhen; 廉大桢; Li Jianting; 李建婷; Liu Dawei; 刘大为; Li Weilin; 李伟霖;
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作者单位

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN305;
关键词
紫光发光二极管芯片; 电流扩展层; 制备工艺; 光电性能;

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