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钴酸锰纳米花的制备及其电化学性能研究

摘要

利用水热方法和煅烧方法以六亚甲基四胺为外加碱源,氯化钴、氯化锰、氟化胺为反应物,在泡沫镍基材表面成功制备了一类具有纳米花形貌的钴酸锰纳米薄膜材料.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、高分辨透射电镜对材料的结构和形貌进行了深入的分析.通过循环伏安(CV)、充放电测试和循环稳定性测试对材料的电化学性能进行了分析.结果表明,在1A g-1电流密度下,材料的比电容值为405F g-1,高于文献报道的部分钴酸锰纳米材料的比电容值,且3000次循环后,材料的比电容值仍能保持在85%.

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