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基于串联模型的Si/Ge超晶格法向热导率

摘要

超晶格半导体材料目前广泛应用于热电、光电、微电子器件中,因此研究它的热导率和传热性能就很有必要。超晶格中存在微带、布里渊区"折叠"等复杂的现象,导致理论研究工作困难。本文采用热阻串联模型计算Si/Ge超晶格热导率,在模型中考虑界面影响以及声子透射率随波长的变化。在固定周期厚度时,Si和Ge厚度比例变化不影响超晶格热导率。随着温度升高,热导率趋于定值。同时随着温度升高,界面散射对于声子传输的作用减小,而U过程的作用增加。

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