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聚酰亚胺衬底三结硅基薄膜太阳电池初步探索

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对作为a-Si/a-SiGe/a-SiGe三结叠层太阳电池中的a-SiGe子电池参数进行了调整,获得了锗烷(GeH4)流量与电池光电特性的关系,进而在聚酰亚胺柔性衬底上初步制备了a-Si/a-SiGe/a-SiGe三结叠层太阳电池,电池开路电压Voc=2082 mV,填充因子FF=0.519,由量子效率(QE)积分获得的总短路电流密度Jsc=20.2 mA/cm2.此电池的短路电流密度和填充因子不够理想,对原因进行了分析,并通过对电池进行了光学模拟后,指出合适的ITO厚度有利于提高电池在短波方向的响应,进而提高电池性能.

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来源
《上海市研究生“新能源与智能电网”学术论坛》|2012年|131-138|共8页
会议地点上海
作者
B.T.Duan; 段波涛; Z.J.Xu; 徐正军; X.J.Ye; 叶晓军; C.Liu; 刘成; J.K.Yang; 杨君坤; L.H.Zhou; 周丽华;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.3;
关键词
薄膜太阳电池; 三结叠层电池; 聚酰亚胺衬底; 光电特性;

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