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退火时间对GZO薄膜性能的影响

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本文以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质量先变好后变坏,退火时间控制在90 分钟时可以得到最优质量的薄膜.在此过程中,薄膜的透射率也呈现先增加后减小的趋势,退火时间60 分钟后达到最大的透过率.通过检测其电阻率,发现其变化呈现先减小后增加的趋势,在90 分钟退火时可以达到最小的电阻率.综合考虑,可以发现退火时间控制在90 分钟时可以得到最优的薄膜.

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来源
《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会（CPVC12）》|2012年|1-4|共4页
会议地点北京
作者
顾龙; 杨恢东; 余松;
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作者单位

中国可再生能源学会;

中科院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
退火时间; 直流磁控溅射; 结构特性; 光学特性; 电学性能; 成膜质量; GZO薄膜;

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