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用于位置灵敏型中子探测器的6LiF/ZnS闪烁屏性能研究

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随着3He气体资源短缺、价格飞涨,基于3He气体的中子探测器已经无法满足急剧增长的中子探测需求.基于6LiF/ZnS(Ag)闪烁体和波移光纤结构的大面积位敏中子探测器,具有高的中子探测效率、高分辨率和高的n/γ抑制能力等优点,可以很好的满足中国散裂中子源(CSNS)k高通粉末衍射仪对中子探测器的需求.6LiF/ZnS闪烁屏作为探测器的重要组成部分,其性能参数—中子探测效率及出射光产额将直接影响探测器的应用.本文利用252Cf中子源,系统研究了几种6LiF/ZnS闪烁屏样品的热中子探测效率和出射光电荷谱,并通过刻度光测试系统中的光电倍增管,估算出三个样品的出射光产额.测试结果表明,6LiF/ZnS(Ag)质量分数比为1:3的EJ426闪烁体样品,其热中子探测效率为32.4％,出射光产额约为8.0×103,是较为理想的闪烁体型中子探测材料.实际应用中,可以采用双层“三明治”结构进一步提高热中子探测效率以满足探测器的物理设计需求.

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来源
《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2012年|350-355|共6页
会议地点四川绵阳
作者
Tang Bin; 唐彬; Sun Zhijia; 孙志嘉; Yang Zhen; 杨振; Zhang Qiang; 张强;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O572.212;
关键词
高能物理学; 散射实验; 位置灵敏型中子探测器; 闪烁屏性能;

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