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应用于芯片ESD的低压触发SCR结构参数对其维持电压的影响

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LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电路失去控制,最终可能导致器件或芯片损毁.本文主要研究LVTSCR自身的参数对其Vhold值的影响.根据Sentaurus软件仿真结果显示,拉长寄生NPN的基区宽度和寄生PNP的基区宽度都可以有效提高Vhold电压,但是拉长寄生NPN的基区宽度更能有效的提高Vhold值.另外横跨N型阱和P型阱的N+注入区的宽度也对Vhold有一定影响.

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来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》|2012年|54-56|共3页
会议地点成都
作者
QU liming; 曲黎明; SHENG yurong; 盛玉荣; JIANG lingl; 蒋苓利; LUO xiaorong; 罗小蓉;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可控硅器件;
关键词
可控硅器件; 低触发电压; 结构参数; 闩锁效应; 静电防护;

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