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抗2000VESD的JFET设计

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本文设计了一种具有ESD自保护能力的硅N沟道高跨导JFET.JFET采用外延扩散工艺,ESD保护器件采用SCR结构,并且将ESD保护器件和JFET集成到同一块硅片上,实现了JFET电学参数、ESD保护能力、器件版图面积的良好折衷.仿真结果表明所设计的JFET具有2000V的抗HBM模型ESD能力.

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来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》|2012年|32-35|共4页
会议地点成都
作者
Zou Youbiao; 邹有彪; Song Wenlong; 宋文龙; Li Zehong; 李泽宏; Gu Hongming; 顾鸿鸣; Zhang Peng; 张鹏;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结型场效应晶体管;
关键词
结型场效应晶体管; 结构设计; 电性能; 保护器件;

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