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基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

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基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振荡周期为5.06ns,平均每级反相器延迟为148ps.

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来源
《2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会》|2012年|23-28|共6页
会议地点昆明
作者
LU Haiyan; 陆海燕; ZHOU Jianjun; 周建军; KONG Yuechan; 孔月婵; DONG Xun; 董逊; KONG Cen; 孔岑; GENG Xijiao; 耿习娇;
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作者单位

中国电子学会;

中国通信学会;

云南省通信学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN752:TN702;
关键词
环形振荡器; 电路设计; 增强型器件; 耗尽型器件;

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