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张进成; 郝跃; 孟凡娜; 鲁明; 林志宇;
中国电子学会;
氮化物半导体; 异质结构材料; 高密度二维电子气; 器件研制;
机译:银装饰ZnO纳米复合材料的异质结界面与硫化石墨氮化物异质结构材料进行光催化应用的关键作用
机译:III族氮化物薄膜和功率器件异质结构的衬底和外延沉积工艺
机译:III族氮化物异质结构中的极化工程:器件设计的新机遇
机译:红外光谱椭圆形测定法,用于无损载体和晶体结构性能的非破坏性表征 - III-氮化物半导体器件异质结构
机译:用于近红外子带间材料和器件的极性和非极性III型氮化物异质结构
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:用于新型III族氮化物器件的具有四元AlInGaN层的极化优化异质结构
机译:用于电子器件的III-氮化物/石墨烯异质结构的外延生长。
机译:iii氮化物异质结构的研究-发光器件的半导体材料
机译:氮化物化合物半导体材料的异质结构器件和用于该器件的衬底
机译:III-V族氮化物的集成异质结构III-V族氮化物的杂化结构以及制造半导体材料的方法和制造相同的材料的方法
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