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Geant4在中子辐射效应中的应用

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中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素.本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法.电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应.电离kerma因子的模拟结果定量解释了中子辐照在CMOS工艺单片机中引起的电离增强效应.通过原子空位密度计算了中子引入的附加陷阱密度,分析了位移损伤对电离效应的增强作用.实验和模拟结果表明,中子的电离能量沉积加剧了CMOS工艺单片机的退化.

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来源
《第八届（2012）北京核学会核应用技术学术交流会》|2012年|607-610|共4页
会议地点北京
作者
JIN Xiao-ming; 金晓明; WANG Yuan-ming; 王园明; YANG Shan-chao; 杨善潮; MA Qiang; 马强; LIU Yan; 刘岩; LIN Dong-sheng; 林东生; CHEN Wei; 陈伟;
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作者单位

北京核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.01;
关键词
半导体材料; 中子辐射效应; 计算机模拟; 电离能量;

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