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基于CMOS技术的太赫兹电路研究进展

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本文通过国内外CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺技术的发展现状对比，研究了利用CMOS电路进行太赫兹源与太赫兹探测的硬件设备制作方案.基于CMOS技术实现的太赫兹硬件设备可以实现室温、超小型的应用，频率可覆盖140GHz-1THz.辐射功率达μW量级。这为我国开展可实际应用的太赫兹硬件设备提供了重要的研究方向。

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来源
《第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会》|2012年|141-146|共6页
会议地点北京
作者
宋瑞良; 林建东;
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作者单位

中国兵工学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应型;
关键词
互补金属氧化物半导体; 电路结构; 太赫兹波; 肖特基二极管;

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基于CMOS技术的太赫兹电路研究进展

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