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0.18um工艺D触发器SEU频率相关性研究

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本文对两条D触发器链在不同的频率下进行辐射实验，分别是未经过抗辐射加固的D触发器链和经过SEU加固单元逻辑加固D触发器链，选择在100KHZ、1MHZ、10MHZ、50MHZ、100MHZ等五种工作频率下研究单粒子翻转截面与频率的相关性。最后发现当工作频率升高103倍之后，触发器链的翻转截面上升。非加固D触发器链的单粒子翻转饱和截面相对变化是6.3；加固D触发器链的单粒子翻转饱和截面相对变化是2.7,翻转饱和截面变化率降低。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|227-232|共6页
会议地点三亚
作者
董攀; 范隆; 岳素格; 郑宏超; 杜守刚;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电子设备;
关键词
航天器电子系统; 抗辐射性能; D触发器; 单粒子翻转频率;

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