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深亚微米存储器各器件辐照特性研究

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摘要

为了研究抗辐照的EEPROM，针对其系统中的关键元器件(高、低压。NMOS，高、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了辐照实验的研究和分析，为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|340-345|共6页
会议地点三亚
作者
王佳宁; 景欣; 陆虹;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类专用集成电路;
关键词
专用集成电路; 微电子器件; 深亚微米存储器; 抗辐射性能;

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