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基于并五苯的有机薄膜场效应晶体管伽马射线辐照效应研究

摘要

本文研究了两种不同栅绝缘层材料的基于并五苯的有机薄膜场效应晶体管(OTFTs,Organic Thin Film Transistors)的60Coγ-ray辐照效应。栅绝缘层为SiO2的ITFT辐照后阈值电压向负方向移动,这是正的氧化物陷阱(oxide trap)电荷带来的影响,同时观察到了“回弹”(rebound)现象。栅绝缘层为聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜的OTFT的阈值电压随总剂量的增加单调减少。当总剂量达到1200 Gy(Si)时,栅绝缘层为SiO2的OTFT的载流子迁移率约减小80%,栅绝缘层为PI的OTFT的载流子迁移率约减小40%。

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