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一种FPGA配置存储器总剂量辐射效应

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本文对Xilinx公司基于SRAM型FPGA的一种PROM(程序配置存储器)进行了γ射线电离总剂量辐照效应研究，分析了PROM数据保存能力随辐照总剂量增加的变化规律。实验结果表明，在辐照总剂量低子6×102Gy(Si)时，PROM数据未发生错误，能成功加载FPGA，当辐照总剂量达8×102Gy(Si)时，开始出错，继续辐照时数据错误数急剧增长。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|400-402|共3页
会议地点三亚
作者
牛振红; 张力; 李志峰;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电子设备;
关键词
空间设备; 配置存储器; 辐射效应; 失效分析;

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