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电子元器件中子辐照后感生放射性豁免条件探讨

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摘要

通过对GB 18871-2002和电子元器件中子辐照后的测试要求的分析，认为在运营单位技术监督部门认可的条件下，当电子元器件中子辐照后产生的感生放射性在距离元器件0.1m处的γ吸收剂量不大于1μGy/h时，该元器件可被豁免。

著录项

来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|436-438|共3页
会议地点三亚
作者
郑春; 艾自辉;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构和元部件;
关键词
电子元器件; 放射性豁免; 抗辐射性能;

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