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不同工艺运算放大器瞬时电离辐射效应研究

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为了研究不同工艺集成运算放大器(集成运放)瞬时电离辐射效应规律，建立了运放瞬时电离辐射效应在线测试系统，在“强光一号”上对不同工艺类型(BJT，CMOS，PMOS-Bi，JFET-Bi)的运算放大器进行了：不同剂量率下的γ瞬时辐射效应实验，得到不同工艺运放的瞬时辐射效应波形，分析了运放扰动幅度和宽度与剂量率的关系。结果表明BiMOs运放和BJT运放瞬时电离辐射响应具有相似的规律，CMOS运放对电离辐射较敏感并且容易发生闩锁效应，实验确定了MC14573 CMOS的闩锁阈值。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|279-284|共6页
会议地点三亚
作者
马强; 范如玉; 陈伟; 林东生; 杨善潮; 王桂珍; 龚建成; 齐超;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.77;
关键词
集成运算放大器; 瞬时电离辐射效应; 抗辐射加固技术; 制造工艺; 电路设计;

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