隧道穿透场效应晶体管研究初探

摘要

采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比,有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一.

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