首页> 外文会议>17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices May 27-31, 2002 Moscow, Russia >TRANSIENT ELECTRONIC PROCESSES IN MIS-PHOTO TARGETS OF VIDICONS SENSITIVE IN THE MIDBAND INFRA-RED RADIATION
【24h】

TRANSIENT ELECTRONIC PROCESSES IN MIS-PHOTO TARGETS OF VIDICONS SENSITIVE IN THE MIDBAND INFRA-RED RADIATION

机译:MIDBAND红外辐射中敏感分子的MIS摄影目标中的瞬态电子过程

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摘要

The sensitivity of MIS-photo targets in conditions of thermodynamic nonequilibrium reaches more significant values in the midband of IR radiation at higher temperatures than semiconductor structures (photoresistors and p-n transitions) working in conditions of thermodynamic equilibrium. It may permit to create new devices photosensitive in the middle and in the far bands of IR radiation.
机译:与在热力学平衡条件下工作的半导体结构(光敏电阻和p-n跃迁)相比,在热力学非平衡条件下MIS-photo目标的灵敏度在较高温度下在IR辐射的中带达到更高的值。它可能允许创建在IR辐射的中部和远端都具有光敏性的新设备。

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