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首页> 外文会议>17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices May 27-31, 2002 Moscow, Russia >Variations of MCT photoconductors performance with background flux density
【24h】

Variations of MCT photoconductors performance with background flux density

机译：MCT光电导体性能随背景通量密度的变化

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Variations of peak detectivity D*(λ_p) and peak responsivity R_v(λ_p) values with background flux density have been examined on Photoconductive Mercury-Cadmium Telluride / Hg_(1-x)Cd_xTe (PC MCT) infrared radiation detectors. Measurements were performed at operating temperature T_(op) ≈ 78 K. Performance was measured on multi-element PC MCT infrared radiation detectors (N = 3x32 and 128 elements) with responsivity peak wavelength λ_p from 10,5 to 12,0 μm at the integral background flux density varied from (8-10)E+17 to (6-8)E+15 photon·cm~(-2)·sec~(-1). Tested PC MCT infrared radiation detectors demonstrate background limited performance (BLIP).
机译：在光导汞-碲化镉/ Hg_（1-x）Cd_xTe（PC MCT）红外辐射探测器上检查了峰值探测灵敏度D *（λ_p）和峰值响应灵敏度R_v（λ_p）值随背景通量密度的变化。在工作温度T_（op）≈78 K下进行测量。在多元素PC MCT红外辐射检测器（N = 3x32和128个元素）上测量性能，响应峰值波长λ_p在10,5至1,20μm。积分背景通量密度从（8-10）E + 17到（6-8）E + 15光子·cm〜（-2）·sec〜（-1）不等。经过测试的PC MCT红外辐射探测器证明了背景受限的性能（BLIP）。

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