LERMPS ― UTBM, Site de Sevenans, 90000, Belfort, France;
机译:吸附在TiO_2:Mn(001)稀释的磁性半导体表面上的F原子的电子和磁性:第一性原理计算
机译:D-π-A连接在TiO_2(101)和TiO_2(001)表面上的染料:来自AB Initio计算的电子转移特性
机译:GaN,AlN和BN(001)理想表面的电子能带结构的紧密束缚计算
机译:基于频段计算的TiO_2(001)表面的电子性质分析
机译:GaAs(001)表面的光学性质的理论分析和半导体的应变依赖性晶格特性
机译:GaTe / C2N异质结构中的应变可调电子性质和能带排列:第一性原理计算
机译:界面间距,稳定性,带偏移和间距的研究 (001)srHfO3 / Gaas界面的电子特性:第一原理 计算