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首页> 外文会议>2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings >Electro-thermal modeling of nano-scale devices
【24h】

Electro-thermal modeling of nano-scale devices

机译：纳米级设备的电热建模

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In this paper we present simulation results obtained with our electro-thermal device simulator when modeling different technology generations of nano-scale fully depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) devices. The electro-thermal simulator is based on a combined ensemble Monte Carlo device simulator coupled to moment expansion of the phonon Boltzmann transport equations. In particular, we stress out the importance of the temperature boundary conditions for digital and analog circuits and the use of the full model which takes into account both temperature and thickness dependence (which is particularly important for thin silicon films) of the thermal conductivity.
机译：在本文中，我们介绍了当对不同技术世代的纳米级完全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）器件进行不同技术建模时，使用电热器件模拟器获得的模拟结果。电热模拟器基于结合了声子玻耳兹曼输运方程的矩展开的组合集成蒙特卡洛设备模拟器。特别是，我们强调了温度边界条件对于数字和模拟电路的重要性，以及使用完整模型的重要性，该模型同时考虑了温度和导热率的厚度依赖性（这对薄膜硅来说尤其重要）。

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