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首页> 外文会议>2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings >Future trends in high power devices
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Future trends in high power devices

机译：大功率设备的未来趋势

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Power devices for MW and GW power electronics are discussed. The most important device concepts of today are Phase Controlled Thyristor (PCT), Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), and PIN diode. In spite of long-term intensive research of compound semiconductor materials and related devices, the world of high-power devices is dominated by silicon. In the light of this reality, the major trends in high-power electronics are discussed using some representative examples of state-of-the-art devices and showing their outlook.
机译：讨论了用于MW和GW电力电子设备的功率设备。当今最重要的器件概念是相控晶闸管（PCT），集成栅极换向晶闸管（IGCT），绝缘栅双极晶体管（IGBT）和PIN二极管。尽管对化合物半导体材料和相关器件进行了长期的深入研究，但大功率器件的世界仍以硅为主。鉴于此现实，使用一些最先进设备的代表性示例讨论了大功率电子产品的主要趋势，并展示了它们的前景。

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