Power Microelectronics Laboratory (Laboratoire de Microélectronique de Puissance), University of Tours, 16 Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071 Tours Cedex 2, France;
机译:以高k电介质为界面层的4H-SiC BJT的电流增益和击穿电压的改善
机译:通过SiGe外在应力层改善NPN-SI-BJT电性能的TCAD建模
机译:通过氧等离子体热退火ZnO缓冲层改善ZnO外延层的结晶度和光学性能
机译:通过修改外延层的BJT静态行为改进
机译:通过表面层改性提高混凝土和砂浆的耐久性。
机译:应变介导的层间耦合效应MoS2 / WS2范德华异质双分子外延生长的激子行为
机译:应变介导的层间耦合对外延生长的MoS2 / WS2 van der Waals异质双层的激子行为的影响