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首页> 外文会议>2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. >SLASH concept: A novel approach for simplified interdigitated back contact solar cells fabrication
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SLASH concept: A novel approach for simplified interdigitated back contact solar cells fabrication

机译：SLASH概念：简化叉指式背接触太阳能电池制造的新方法

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In this study a novel high efficiency crystalline silicon (c-Si) solar cell concept is presented. It combines Interdigitated Back Contact (IBC) structures with Silicon Heterojunction (Si-HJ) technology through the use of Laser assisted patterning steps. The SLASH (Structuring by Laser Ablation of Silicon Heterojunction) IBC cell shows a simplified geometry and a fabrication process compatible with mass production. SLASH IBC cells have been fabricated using optimized parameters for a-Si:H layers patterning and screen printed metallization. The c-Si surface morphology (polishing and texturation process) is shown to have a great impact on the cells parameters. Almost the same cell performances are obtained on alkaline and chemical-mechanical polished surfaces. An efficiency of 19.0% has been obtained on 5*5 cm2 devices proving the high efficiency potential of this simplified IBC structure.
机译：在这项研究中，提出了一种新型的高效晶体硅（c-Si）太阳能电池概念。它通过使用激光辅助的构图步骤，将叉指背接触（IBC）结构与硅异质结（Si-HJ）技术结合在一起。 SLASH（通过激光烧蚀硅异质结来构造）IBC单元具有简化的几何形状和与批量生产兼容的制造工艺。 SLASH IBC电池是使用用于a-Si：H层构图和丝网印刷金属化的优化参数制造的。结果表明，c-Si表面形态（抛光和织构化过程）对晶胞参数有很大影响。在碱性和化学机械抛光的表面上可获得几乎相同的电池性能。在5 * 5 cm2的器件上已获得19.0％的效率，证明了这种简化的IBC结构的高效率潜力。

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