Institute of Control and Industrial Electronics, Warsaw University of Technology, Polandc;
机译:1200 V常关和常开垂直沟道SiC功率JFET器件的比较
机译:常导SiCED-JFET C-V特性的测量和数值分析
机译:常开型SiC JFET:有源保护
机译:桥梁腿的概念与常常的常见的sic jfets混合
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:建造更好的胰脏桥:修改后的单腿桥髋关节活动的电泳分析
机译:预测使用SiC常关JFET和SiC二极管构建的逆变器腿中的静态损耗