Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate

机译：InSb薄膜在Ge（111）衬底上的异质外延生长

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

This paper discusses characteristics of the InSb films on Ge substrate. To grow high quality InSb films on Ge substrate, we tried to optimize the growth conditions. We carried out the direct growth of the InSb films on Ge(111) substrate by using two-step growth procedure. At first, we studied the effect of the growth temperature and thickness of the first layer.

机译：本文讨论了Ge衬底上InSb薄膜的特性。为了在Ge衬底上生长高质量的InSb膜，我们试图优化生长条件。我们使用两步生长过程在In（Ge）（111）衬底上进行了InSb薄膜的直接生长。首先，我们研究了生长温度和第一层厚度的影响。

著录项

来源
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》|2014年|1-2|共2页
会议地点 Kyoto(JP)
作者
Mitsueda T.; Sakamoto T.; Shimoyama H.; Mori M.; Maezawa K.;
展开▼
作者单位

Graduate school of Science and Engineering, University of Toyama, Toyama, Japan;

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Crystals; Epitaxial growth; Lattices; Substrates; Surface reconstruction; Surface treatment; Ge; Heteroepitaxial Growth; InSb;

机译：晶体；外延生长；格子基材；表面重建；表面处理;葛;异质外延生长； InSb;;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(111) substrate via the InSb bi-layer [J] . M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, Journal of Crystal Growth . 2009,第7期

机译：通过InSb双层在Si（111）衬底上高温生长异质外延InSb膜
2. Heteroepitaxial growth of high quality InSb films on Si(111) substrates using a two-step growth method [J] . B V Rao, D Gruznev, T Tambo Semiconductor science and technology . 2001,第4期

机译：使用两步生长方法在Si（111）衬底上异质外延生长高质量InSb膜
3. Heteroepitaxial growth of rotated InSb films on a Si(111) substrate via 2 x 2-In surface reconstruction [J] . M. Mori, M. Saito, Y. Yamashita, Journal of Crystal Growth . 2007,第Apr期

机译：通过2 x 2-In表面重构在Si（111）衬底上异质外延生长旋转的InSb膜
4. Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate [C] . Mitsueda T., Sakamoto T., Shimoyama H., Institute of Electrical and Electronics Engineers International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai . 2014

机译：GE（111）衬底上INSB薄膜的异质生长
5. Initial stage growth of heteroepitaxial oxide thin films on oxide and metal substrates. [D] . Choi, Jung-Hoon. 2004

机译：在氧化物和金属基底上异质外延氧化物薄膜的初始生长。
6. Heteroepitaxial Growth of Ferromagnetic MnSb(0001)Films on Ge/Si(111) VirtualSubstrates [O] . ChristopherW. Burrows, Andrew Dobbie, Maksym Myronov, -1

机译：铁磁MnSb（0001）的异质外延生长Ge / Si（111）虚拟电影基材
7. Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate [O] . Iwasugi T., Mori M., Igarashi H., 2010

机译：在图案化的Si（001）衬底上InSb薄膜的异质外延生长
8. Epitaxial YBa2Cu3O(7-x) thin films: Scanning tunneling microscope study of the initial stages of epitaxial growth, growth mechanism, and effects of substrate temperature. [R] . S. Zhu X. Y. Zheng D. H. Lowndes D. P. Norton R. J. Warmack 1991

机译：外延YBa2Cu3O（7-x）薄膜：扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段，生长机制和衬底温度的影响。

Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅