Power electronics innovation by Silicon Carbide power semiconductor devices

机译：碳化硅功率半导体器件在电力电子领域的创新

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The importance of power electronics innovation in the future human society and related technology roadmap is presented. Based on the roadmap, recent progress in widegap semiconductor power electronics is reviewed, especially focused on Silicon Carbide (SiC) technology [1-3].

机译：提出了电力电子创新在未来人类社会和相关技术路线图中的重要性。基于该路线图，回顾了宽禁带半导体功率电子学的最新进展，特别是碳化硅（SiC）技术[1-3]。

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来源
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》|2014年|1-2|共2页
会议地点 Kyoto(JP)
作者
Okumura Hajime;
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作者单位

Advanced Power Electronics Research Center (ADPERC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central-2, 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Inverters; Power systems; Silicon; Silicon carbide; Switches; Technological innovation; Electric Power Conversion; Inverter; Power Electronics; Power Semiconductor Device; SiC; Silicon Carbide;

机译：逆变器电力系统；硅;碳化硅;开关；技术创新；电力转换；逆变器电力电子；功率半导体器件；碳化硅;碳化硅；;

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