Microelectronics Program (PGMICRO), Federal University of Rio Grande do Sul. Porto Alegre, Brazil;
Microelectronics Program (PGMICRO), Federal University of Rio Grande do Sul. Porto Alegre, Brazil;
Microelectronics Program (PGMICRO), Federal University of Rio Grande do Sul. Porto Alegre, Brazil;
Propagation delay; Stress; MOSFET; Logic gates; Threshold voltage; Delays;
机译:初始延迟时间的分析和建模及其对CMOS逻辑门的传播延迟的影响
机译:基于基于原子阱的BTI模型,占空比,应力刺激,栅极和驱动强度对栅极延迟退化的影响
机译:信号活动对驱动耦合的片上互连的CMOS逻辑门的传播延迟的影响
机译:确定性方法评估BTI对逻辑栅极传播延迟的影响
机译:机场登机口等候延误的分析,建模和仿真方法
机译:集成火神经元网络中的信号传播和逻辑门控
机译:考虑信号传播延迟与偏置电压相关性的SFQ逻辑门的优化