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首页> 外文会议>2017 IEEE Nordic Circuits and Systems Conference: NORCHIP and International Symposium of System-on-Chip >Design of high-performance E-band SPDT switch and LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology
【24h】

Design of high-performance E-band SPDT switch and LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology

机译：采用0.13μmSiGe BiCMOS技术的高性能E波段SPDT开关和LNA的设计

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This paper presents the design of high-performance E-band single-pole double-through (SPDT) switch and low noise amplifier (LNA) as a part of transceiver front-end in an 0.13 μm SiGe BiCMOS technology. The quarter-wave shunt SPDT switch is designed using reverse-saturated SiGe HBTs. The resulting switch exhibits an insertion loss of 2.1 dB, isolation of 26 dB, reflection coefficient better than 18 dB at 75 GHz and provides a bandwidth of more than 35 GHz. The designed switch is integrated with a single-in differential-output (SIDO) low noise amplifier (LNA) and utilized as input matching element of the LNA. The LNA utilizes a common-emitter amplifier at the first stage and a casocode amplifier at the second stage to exploit the advantages of both common-emitter and cascode topologies. The resulting LNA with integrated switch achieves a gain and noise figure(NF) of 26 dB and 6.9 dB, respectively at 75 GHz with a 3 dB bandwidth of 12 GHz. Output referred 1-dB compression point of +5.5 dBm is achieved at 75 GHz. The designed integrated block consumes 45.5 mW of DC power and occupies an area of 720 μm × 580 μm excluding RF pads.
机译：本文介绍了一种高性能E波段单刀双通（SPDT）开关和低噪声放大器（LNA）的设计，该设计是0.13μmSiGe BiCMOS技术中收发器前端的一部分。四分之一波并联SPDT开关采用反向饱和的SiGe HBT设计。最终的开关在2.1 GHz时的插入损耗为2.1 dB，隔离度为26 dB，在75 GHz时的反射系数优于18 dB，带宽超过35 GHz。设计的开关与单输入差分输出（SIDO）低噪声放大器（LNA）集成在一起，并用作LNA的输入匹配元件。 LNA在第一阶段使用一个共发射极放大器，在第二阶段使用一个casocode放大器，以利用共发射极和共源共栅拓扑的优点。最终的带有集成开关的LNA在75 GHz和3 GHz带宽为12 GHz时分别达到26 dB和6.9 dB的增益和噪声系数（NF）。在75 GHz时达到+5.5 dBm的输出参考1-dB压缩点。设计的集成模块消耗45.5 mW的DC功率，并且不包括RF焊盘，占地面积为720μm×580μm。

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