National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba-shi, Ibaraki-ken 305-0044 Japan;
silicon carbide; sintering; AlB_2 additive; transformation; grain growth; fracture toughness; aspect ratio;
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:6H-SiC衬底上3C-SiC的多型转变和结构特征
机译:PVT生长期间可控的6H-SiC到4H-SiC多型转变
机译:Alb_2添加的SiC的烧结和Polytype转化
机译:原位钢化SiC陶瓷,添加Al-B-C和氧化物涂层的SiC薄片/ SiC复合材料。
机译:直流等离子体技术制备的火花等离子体烧结SiC与Si-SiC复合纳米粒子的烧结行为
机译:种子掺杂水平效果的掺杂水晶生长过程中的多型转化研究