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首页> 外文会议>Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication >Atomic-layer epitaxy of device-quality Al0.3Ga0.7As
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Atomic-layer epitaxy of device-quality Al0.3Ga0.7As

机译：器件质量的Al0.3Ga0.7As的原子层外延

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Abstract: We report on the recent growth by Atomic Layer Epitaxy (ALE) of device quality Al$-0.3$/Ga$-0.7$/As in a modified commercial reactor. A standard Emcore reactor was altered by the installation of baffles to prevent mixing of the reactant gas streams and a computer controlled servo motor to allow for a nonlinear rotation cycle. By varying the V/III ratio and the exposure time to the reactant gases it is possible to control the background carbon doping from high resistivity to p $EQ 1 $MUL 10$+20$/ cm$+$MIN@3$/, without the need for an additional p-type source. Since low background doping was also achieved, silane was used to obtain n-type Al$-0.3$/Ga$-0.7$/As as high as n $EQ 1 $MUL 10$+18$/ cm$+$MIN@3$/. The room temperature Hall mobility of the n-type Al$-0.3$/Ga$-0.7$/As films varied from 1200 to 3700 cm$+2$//V$DOT@sec. Photoluminescence and preliminary doping results are presented and discussed. !11
机译：摘要：我们报道了在改进的商业反应堆中，原子层外延（ALE）最近使设备质量Al $ -0.3 $ / Ga $ -0.7 $ / As增长的趋势。通过安装折流板以防止反应气流混合，对标准的Emcore反应器进行了更改，并使用了计算机控制的伺服电动机以实现非线性旋转循环。通过改变V / III比率和对反应气体的暴露时间，可以将背景碳掺杂从高电阻率控制到p $ EQ 1 $ MUL 10 $ + 20 $ / cm $ + $ MIN @ 3 $ /，无需其他p型源。由于还实现了低本底掺杂，因此使用硅烷获得的n型Al $ -0.3 $ / Ga $ -0.7 $ / As高达n $ EQ 1 $ MUL 10 $ + 18 $ / cm $ + $ MIN @ 3 $ /。 n型Al $ -0.3 $ / Ga $ -0.7 $ / As薄膜的室温霍尔迁移率在1200至3700 cm $ + 2 $ // V $ DOT @ sec之间变化。提出并讨论了光致发光和初步掺杂结果。 ！11

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