• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Advanced Semiconductor Epitaxial Growth Processes and Lateral and Vertical Fabrication >Processing of InP and related compounds at nanometer dimensions
【24h】

Processing of InP and related compounds at nanometer dimensions

机译：InP和相关化合物的纳米级加工

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Abstract: Processes for the fabrication of nanometer-scale geometries in InP and related materials are discussed. Special emphasis is directed to pattern transfer using reactive ion etching in methane-hydrogen plasmas. Using these processes, 70 nm period gratings etched 900 nm deep in InP resulting in an aspect ratio of 25 is demonstrated. It is shown that these processes can be applied successfully to the fabrication of quantum wires in InP/InGaAs heterostructures. The high luminescence efficiency of these wires even at dimensions down to 40 nm shows that CH$- 4$//H$-2$/ reactive ion etching does not severely degrade the optical properties of quantum wires. !17
机译：摘要：讨论了在InP和相关材料中制造纳米级几何形状的工艺。特别强调的是使用甲烷-氢等离子体中的反应性离子蚀刻进行图案转移。使用这些工艺，展示了在InP中蚀刻了900 nm深的70 nm周期光栅，其长宽比为25。结果表明，这些工艺可以成功地应用于InP / InGaAs异质结构中的量子线的制造。这些导线的高发光效率甚至在尺寸低至40 nm时也表明CH $ -4 $ // H $ -2 $ /反应离子刻蚀不会严重降低量子线的光学性能。 ！17

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号